半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件是存储器。第二半导体元件包括金属氧化物半导体、电容或电阻。第一半导体元件与第二半导体元件是形成在单一衬底上。本发明的半导体装置的制造方法简单且成本低。此外，存储器与金属氧化物半导体之间可具有良好的电性连接。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：于一衬底上形成一第一半导体元件与一第二半导体元件，其中该第一半导体元件与该第二半导体元件是形成在单一衬底上，该衬底包括不同的一第一衬底区与一第二衬底区，该第一半导体元件是形成在该第一衬底区上，该第二半导体元件是形成在该第二衬底区上，该第一半导体元件是存储器，该第二半导体元件包括金属氧化物半导体、电容或电阻；其中，该第一半导体元件的形成方法包括：形成一第一掺杂区于该衬底中，其中该第一掺杂区具有一第一导电型；形成互相分开的多个第二掺杂区于该第一掺杂区中，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型；形成一介电结构于该些第二掺杂区之间的该第一掺杂区上；以及形成一第一电极层于该第二掺杂区与该介电结构上。