发明名称 矽晶铸锭制造方法、矽晶铸锭制造装置及矽晶铸锭;FABRICATION METHOD OF SILICON INGOT, FABRICATION APPARATUS OF SILICON INGOT AND SILICON INGOT
摘要 一种矽晶铸锭制造方法、矽晶铸锭制造装置及矽晶铸锭。矽晶铸锭制造方法中系使用整片式矽晶种作为长晶程序的矽晶种。矽晶铸锭制造装置之坩锅容置空间用以放置整片式矽晶种。矽晶铸锭系使用矽晶铸锭制造方法所制造且由坩锅之容置空间定义出矽晶铸锭的外型。所制造的矽晶铸锭晶经切割与加工后可制成整片式矽晶种,并为另一矽晶铸锭制造方法所使用的矽晶种。
申请公布号 TW201443299 申请公布日期 2014.11.16
申请号 TW102116179 申请日期 2013.05.07
申请人 汉民科技股份有限公司 发明人 张裕丰
分类号 C30B11/14(2006.01);C30B28/06(2006.01);C30B29/06(2006.01);C30B35/00(2006.01) 主分类号 C30B11/14(2006.01)
代理机构 代理人 <name>蔡朝安</name><name>郑淑芬</name>
主权项
地址 台北市大安区敦化南路2段38号14楼