发明名称 双半桥注入锁相功率合成金卤灯
摘要 本发明涉及电光源照明技术领域,具体是一种双半桥注入锁相功率合成金卤灯。包括金卤灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路,两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R<sub>4</sub>、电容C<sub>5</sub>同步振荡,自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T<sub>1</sub>与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T<sub>2</sub>反相馈入相加耦合器,功率合成馈送灯管电路触发金卤灯启辉,基准晶振信号经分频器注入自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位,获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降,调频信号发生器三角波信号接入自振荡芯片4、6的RC振荡器调频抑制灯光闪烁。本发明适用于大功率金卤灯强光照明场合。
申请公布号 CN104105299A 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201310156092.8 申请日期 2013.04.15
申请人 阮雪芬 发明人 阮树成;阮雪芬
分类号 H05B41/285(2006.01)I 主分类号 H05B41/285(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种双半桥注入锁相功率合成金卤灯,包括电源滤波器EMI、整流桥堆、金卤灯管,其特征在于:还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R<sub>11</sub>、电容C<sub>15</sub>产生同步振荡,输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B,自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T<sub>2</sub>与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T<sub>3</sub>反相馈入相加耦合器,功率合成馈送灯管触发电路金卤灯启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C<sub>T</sub>端锁定相位,调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC振荡器R<sub>T</sub>端调频抑制灯光闪烁,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器C<sub>T</sub>端控制振荡快速停振,电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端。
地址 321100 浙江省兰溪市桃花坞35号(甲)
您可能感兴趣的专利