| 发明名称 | 光电转换装置、其制造方法和照相机 | ||
| 摘要 | 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。 | ||
| 申请公布号 | CN102301476B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201080006235.1 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 泽山忠志;广田克范;渡边高典;市川武史 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 袁玥 |
| 主权项 | 一种光电转换装置，包括：n型表面区域(18)；在表面区域下面的p型区域(PR)；在p型区域下面的n型埋入层(10)；元件隔离区域(9)；和势垒(11)，布置在n型埋入层(10)与元件隔离区域(9)之间，以便包围p型区域(PR)的一部分，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小，其中，p型区域包含第一区域(15)和至少一部分被配置在第一区域和埋入层之间的第二区域(1′)，以及其中，第一区域的p型杂质的浓度比第二区域的p型杂质的浓度高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||