图案形成方法

摘要

本发明的图案形成方法，系能在基板上形成选择性地使导电性膜，从在将绝缘膜与导电性膜积层的积层膜上所形成之孔之内周面，精度佳地后退的图案。;图案形成方法系包括有：在基板上使绝缘膜与复晶矽膜交替积层，形成上述绝缘膜与上述复晶矽膜分别至少含有各2层之积层膜的步骤；在上述积层膜上形成贯通至少2层上述绝缘膜与至少2层上述复晶矽膜之孔的步骤；以及将使氟系卤气体经惰性气体稀释过的蚀刻气体，导入上述孔内并施行等向性蚀刻，藉此从上述孔的侧壁选择性地对上述复晶矽膜施行蚀刻的选择蚀刻步骤。

主权项

一种图案形成方法，系包括有：在基板上使绝缘膜与复晶矽膜交替积层，形成上述绝缘膜与上述复晶矽膜分别至少含有各2层之积层膜的步骤；在上述积层膜上形成贯通至少2层上述绝缘膜与至少2层上述复晶矽膜之孔的步骤；以及藉由将使氟系卤气体经惰性气体稀释过的蚀刻气体，导入上述孔内并施行等向性蚀刻，而从上述孔的侧壁对上述复晶矽膜依大于上述绝缘膜之蚀刻速度施行蚀刻的选择蚀刻步骤；上述选择蚀刻步骤后之上述孔内之壁面的上述复晶矽膜之蚀刻深度的平均值tA及标准偏差σ的比σ/tA为9%~13%。