一种高电源抑制比低噪声的电压基准源

摘要

本发明涉及电子电路技术领域，具体的说是涉及一种高电源抑制比低噪声的电压基准源。本发明高电源抑制比低噪声的电压基准源通过基准电压产生电路中两个不同发射极面积的三极管产生的发射极和基极的电压差(△Vbe)施加在电阻R1上产生的PTAT电流，该电流通过电阻R2和R3形成基准电压。基准产生电路中的运放OP输出端V1连接共源共栅电流镜结构的偏置电路，运放的正负输入端分别连接在三极管Q1和Q2的两条支路，电流镜像电路以及基准电压产生电路构成环路，提高了整体电路的电源抑制比，同时通过基准电压输出电路对基准电压的波动做进一步的滤波处理，再一次改善了电路的电源抑制比。本发明尤其适用于电压基准源。

主权项

一种高电源抑制比低噪声的电压基准源，由电流镜像电路、基准电压产生电路和基准电压输出电路构成；其中，电流镜像电路由PMOS管M1、M2、M3、M6、M7和NMOS管M4、M5构成；其中，M1的源极接电源VDD，其栅极和漏极互连，其栅极接M7的栅极，其漏极接M4的漏极；M4的源极接地GND，其栅极接M5的栅极；M5的源极接地GND，其漏极接M3的漏极、M2的栅极和M6的栅极；M3的源极接M2的漏极；M2的源极接电源VDD，其栅极接M6的栅极；M6的源极接电源，其漏极接M7的源极；基准电压产生电路由运算放大器、电阻R1、R2、R3、R4和三极管Q1、Q2构成；其中，M7的漏极依次通过R3和R4后接运算放大器的反向输入端；M7的漏极还依次通过R3、R2接运算放大器的正向输入端；运算放大器的反向输入端接Q1的发射极，其正向输入端通过R1后接Q2的发射极，其输出端接M5的栅极；Q1的基极和集电极接地GND；Q2的基极和集电极接地GND；基准电压输出电路由PMOS管M8、M9、M10、NMOS管M11、M12构成；其中，M8的源极接M7的漏极，其漏极接M9的源极；M9的漏极接M10的源极，其衬底接M12的栅极；M10的漏极接M11的栅极做基准电压输出端；M8、M9、M10的栅极、M11的源极和漏极、M12的源极和漏极互连。