| 发明名称 | 激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种厚度为50μm以上200μm以下的范围，初期应力为9MPa以上19MPa以下的范围，扩张率为102％以上120％以下的范围，雾度值为10以下，全光线透过率为90％以上的隐形切割用膜基材。 | ||
| 申请公布号 | CN104011836A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201280064243.0 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 三井—杜邦聚合化学株式会社 | 发明人 | 中野重则;锦织雅弘;桥本芳惠;宫下雄介 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C08F210/02(2006.01)I;C08F220/06(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L33/08(2006.01)I;C08L33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种隐形切割用膜基材，其能够用作具备粘合层和基材的隐形切割用膜的所述基材，并且厚度为50μm以上200μm以下的范围，初期应力为9MPa以上19MPa以下的范围，扩张率为102％以上120％以下的范围，雾度值为10以下，全光线透过率为90％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||