一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法

摘要

一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法，包括：利用一层掩模版进行第一次光刻并刻蚀衬底上的掩模层以形成具有第一特征尺寸的图形；在该图形上沉积一层薄膜材料，形成均匀覆盖掩模图形的共形层，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；进行第二次光刻并刻蚀，其中光刻胶覆盖一部分薄膜材料，将光刻胶暴露的部分的薄膜材料减薄到具有第二厚度的侧墙；去除光刻胶，形成具有两种厚度侧墙的图形；各向异性地刻蚀薄膜材料，将掩模层顶部和底部的薄膜材料去除，只留下侧壁上的薄膜；灰化工艺选择性的去除掩模层，只留下薄膜材料形成的侧墙；薄膜材料作为刻蚀的掩模进行刻蚀，形成具有两种尺寸的超精细图形，并且尺寸的大小对应于侧墙的第一厚度和第二厚度。

主权项

一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法，其特征在于包括：首先利用一层掩模版进行第一次光刻并刻蚀衬底上的掩模层以形成具有第一特征尺寸的图形；接着在该图形上沉积一层薄膜材料，形成均匀覆盖掩模图形的共形层，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；进行第二次光刻并刻蚀，其中光刻胶覆盖一部分薄膜材料，而且将光刻胶暴露的部分的薄膜材料减薄到具有第二厚度的侧墙；去除光刻胶，形成具有两种厚度侧墙的图形；各向异性地刻蚀薄膜材料，将掩模层顶部和底部的薄膜材料去除，只留下侧壁上的薄膜；灰化工艺选择性的去除掩模层，只留下薄膜材料形成的侧墙；薄膜材料作为刻蚀的掩模进行刻蚀，形成具有两种尺寸的超精细图形，并且尺寸的大小对应于侧墙的第一厚度和第二厚度。