| 发明名称 | 远紫外线光刻处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种远紫外线光刻处理方法。该处理方法包括：接收远紫外光(EUV)掩膜、EUV放射源和照明器。该处理方法也包括：通过放射光以小于3度的物体侧的主光线入射角(CRAO)曝光EUV，其中，辐射光来自EUV放射源且被照明器定向。该处理方法进一步包括去除大部分的非衍射光以及通过投影光学箱(POB)收集和定向衍射光和没有被去除的非衍射光，从而曝光目标。 | ||
| 申请公布号 | CN103969962A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310158694.7 | 申请日期 | 2013.05.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 卢彦丞;游信胜;严涛南 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种远紫外线光刻处理方法，包括以下步骤：接收远紫外光(EUV)掩膜；提供EUV放射源，所述EUV放射源用于提供辐射；提供照明器；通过所述辐射曝光所述EUV掩膜，所述辐射被所述照明器定向并且具有小于3度的物体侧主光线入射角(CRAO)，以产生衍射光和非衍射光；去除大部分所述非衍射光；以及通过投影光学箱(POB)收集和定向所述衍射光和没有被去除的非衍射光，以曝光目标。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||