深度矽蚀刻时之遮罩底切的最小化

摘要

一种在矽层中形成特征部的方法。在矽层上方，形成具有复数个遮罩开口之遮罩。藉由下列方法，在遮罩上方沉积高分子层：流入包含C4H8的无氢沉积气体；由此沉积气体形成电浆；由此电浆沉积高分子至少20秒；以及在至少20秒之后停止此高分子的沉积。藉由下列方法，对沉积高分子层进行开孔：流入开孔气体；由此开孔气体形成电浆，相对于位在复数个遮罩开口之侧面上的沉积高分子，此电浆选择性地移除位在复数个遮罩开口之底部上的沉积高分子；以及当至少一些复数个遮罩开口被开孔时，停止开孔处理。穿过遮罩与沉积高分子层而对矽层进行蚀刻。

主权项

一种在矽层中形成特征部的方法，包含：在该矽层的上方，形成具有复数个遮罩开口的一遮罩；在该遮罩的上方，沉积一高分子层，包含：流入一包含C4F8的无氢沉积气体，其中该沉积气体实质上由C4F8组成；由该沉积气体形成电浆；由该电浆沉积一高分子至少20秒；及在至少20秒之后停止该高分子的沉积；对该沉积高分子层进行开孔，包含：流入一开孔气体；由该开孔气体形成电浆，相对于位在该等复数个遮罩开口之侧面上的该沉积高分子，该电浆选择性地移除位在该等复数个遮罩开口之底部上的该沉积高分子；及当至少一些该等复数个遮罩开口被开孔时，停止该开孔处理；及穿过该遮罩与该沉积高分子层而对该矽层进行蚀刻，其中该沉积高分子层系藉由蚀刻该矽层而完全被蚀刻殆尽。