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Eine integrierte Schaltkreisstruktur, umfassend: eine statische Direktzugriffsspeicherzelle SRAM, umfassend: – eine erste gerade Rippe (Fin1); – eine gebogene Rippe (Fin2) mit einem ersten Bereich (Fin2-1) und einem zweiten Bereich (Fin2-2) parallel zur ersten geraden Rippe (Fin1), wobei der erste Bereich (Fin2-1) der gebogenen Rippe (Fin2) und die erste gerade Rippe (Fin1) einen ersten Abstand (S1) zueinander aufweisen, und der zweite Bereich (Fin2-3) der gebogenen Rippe (Fin2) und die erste gerade Rippe (Fin1) einen zweiten Abstand (S2) zueinander aufweisen, der größer als der erste Abstand (S1) ist; wobei der erste Abstand (S1) senkrecht vom ersten Bereich (Fin2-1) der gebogenen Rippe (Fin2) zur erste geraden Rippe (Fin1) und der zweite Abstand (S2) senkrecht vom zweiten Bereich (Fin2-3) der gebogenen Rippe (Fin2) zur ersten Rippe (Fin1) gemessen wird, – einen nicht parallel zur ersten geraden Rippe (Fin1) verlaufenden dritten Bereich (Fin2-2) der gebogenen Rippe (Fin2), der den ersten Bereich (Fin2-1) mit dem zweiten Bereich (Fin2-3) verbindet; – einen Pull-Down-Transistor (PD), enthaltend einen Bereich eines ersten Gate-Streifens (G1), wobei der erste Gate-Streifen (G1) einen ersten Sub-Pull-Down-Transistor (PD11) und einen zweiten Sub-Pull-Down-Transistor (PD12) mit der ersten gerade Rippe (Fin1) und mit dem ersten Bereich (Fin2-1) der gebogenen Rippe (Fin2) entsprechend bildet; und – einen Pass-Gate-Transistor (PG1), enthaltend einen Bereich eines zweiten Gate-Streifens (G2), wobei der zweite Gate-Streifen (G2) mit der ersten geraden Rippe (Fin1) einen ersten Sub-Pass-Gate-Transistor und mit dem zweiten Bereich (Fin2-2) der gebogenen Rippe (Fin2) einen Dummy-Transistor (Dummy1-SD) bildet. |
