| 发明名称 | 一种激光退火设备 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及激光退火技术领域，公开了一种激光退火设备，所述激光退火设备包括：退火室、氧化室、湿法刻蚀室和传送装置，其中：所述退火室内设置有至少一个氧气分析计；具有非晶硅膜的基板经所述传送装置传送依次通过所述退火室、氧化室和湿法刻蚀室。在本实用新型技术方案中，由于具有非晶硅膜的基板经过退火室退火形成多晶硅膜后还需在氧化室内进行氧化以及在湿法刻蚀室内进行湿法刻蚀，因此，保证了即使氧气含量超标下生产的多晶硅膜的表面粗糙度也能符合标准，进而提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN203690350U | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201420050789.7 | 申请日期 | 2014.01.26 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 田雪雁 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I;B23K26/00(2014.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种激光退火设备，其特征在于，包括退火室、氧化室、湿法刻蚀室和传送装置，其中：所述退火室内设置有至少一个氧气分析计；具有非晶硅膜的基板经所述传送装置传送依次通过所述退火室、氧化室和湿法刻蚀室。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||