| 发明名称 | 具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法。一种用于在体衬底中形成鳍片晶体管的方法包括在体衬底上形成超陡逆行阱（SSRW）。阱包括在未掺杂层下形成的第一导电类型掺杂剂的掺杂部分。在未掺杂层上生长的鳍片材料。从鳍片材料形成鳍片结构，并且鳍片材料是未掺杂的或者掺杂的。邻近鳍片结构提供源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103871893A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310613247.6 | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 蔡劲;K·K·陈;R·H·德纳尔德;B·B·多里斯;B·P·林德尔;R·穆拉丽达;G·G·沙希迪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种用体衬底形成鳍片晶体管的方法，包括： 在体衬底中或上形成超陡逆行阱（SSRW），所述阱包括第一导电类型掺杂剂的掺杂部分并且在所述体衬底中在未掺杂层之下形成，所述SSRW在对应于鳍片结构的位置之下形成； 在所述未掺杂层之上生长鳍片材料； 从所述鳍片材料形成所述鳍片结构； 在所述鳍片结构之上形成栅极结构；以及 形成邻近所述鳍片结构的源极和漏极区域以形成鳍片场效应晶体管。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||