| 发明名称 | 沟槽功率器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽功率器件及其制作方法，其中，所述制作方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行热氧化；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层；沉积栅极材料于所述栅极氧化层上。本发明通过在形成外延层之前对半导体衬底进行热氧化，并去除由此产生的热氧化层，减小了因半导体衬底中氧杂质含量升高而降低击穿电压对沟槽功率器件造成的影响，从而达到稳定沟槽功率器件击穿电压的效果，提高沟槽功率器件的性能，同时不会对沟槽功率器件的其他参数造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103871901A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201410098316.9 | 申请日期 | 2014.03.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 沈思杰;黄锦才 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；对所述半导体衬底进行热氧化工艺；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层；沉积栅极材料于所述的栅极氧化层上。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||