| 发明名称 |
用于藉由基于受应力之植入遮罩的应力记忆法而形成受应变之电晶体的方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI441282 |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
| 申请号 |
TW096126871 |
申请日期 |
2007.07.24 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 美国 |
发明人 |
威勃雷特 法兰克;布其克 罗曼;齐哈德 马丁 |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
美国 |
