制造碳化硅的方法

摘要

本发明涉及一种制造SiC的方法，其中尽量减少污染气体的排放，通过用过量碳还原硅氧化物，所述方法包括通过电加热在由选自石油焦的碳基源和硅源，尤其是纯度大于95%的SiO₂的二氧化硅组成的原材料混合物中心处的电阻器以便在高于1500℃的温度下引发该简化反应：SiO₂+3C=SiC+2CO （1），所述方法的特征在于所属碳基源首先经受除去所含氢的处理，以使其元素氢含量（EHWC）低于2重量%。

主权项

制造SiC的方法，其中减少污染气体的排放，包括通过电加热在由碳‑基源和硅源组成的原材料混合物中心处的电阻器以便在高于1500℃的温度下引发该简化反应，由此用碳还原硅氧化物，其中，碳‑基源选自焦炭，尤其是石油焦，硅源尤其是纯度大于95%SiO₂的二氧化硅：SiO₂ + 3C = SiC + 2CO            （1），所述方法的特征在于所述碳‑基源预先经受除去所含氢的处理，以使其元素氢含量（EHWC）低于2重量%。