| 摘要 |
Es werden eine Zwischenschicht mit Entkopplungskondensatoren, die in Blindlöchern ausgebildet sind, eine Halbleiterstruktur mit Gehäuse, die Entkopplungskondensatoren aufweist, die in Blindlöchern ausgebildet sind, und Verfahren zur Herstellung derselben bereitgestellt. In einer Ausführungsform wird eine Zwischenschicht bereitgestellt, die eine Verbindungsschicht aufweist, die auf einem Substrat angeordnet ist. Es werden mehrere Durchführungen durch das Substrat in einem isolierten Gebiet des Substrats erzeugt. Mindestens eine der mehreren leitenden Durchführungen ist elektrisch mit mindestens einer von mehreren Oberseitenverdrahtungen verbunden, die in der Zwischenschicht ausgebildet sind. Es werden mehrere Blindlöcher durch das Substrat in einem dichten Gebiet des Substrats während eines gemeinsamen Ätzschrittes zusammen mit den Durchführungen erzeugt. Mindestens ein Blindloch enthält (a) ein dielektrisches Material, das die Blindlöcher beschichtet, und (b) ein leitendes Material, das die beschichteten Blindlöcher füllt und einen Entkopplungskondensator bildet. |
