发明名称 Teilchenstrahlgerät und Verfahren zum Betreiben eines Teilchenstrahlgeräts
摘要 <p>Teilchenstrahlgerät (1), mit–einer Probenkammer (49),–einer in der Probenkammer (49) angeordneten Probe (16),–einer ersten Teilchenstrahlsäule (2) mit einer ersten optischen Achse (4), wobei die erste Teilchenstrahlsäule (2) einen ersten Strahlerzeuger (27) zur Erzeugung eines ersten Teilchenstrahls und eine erste Objektivlinse (31) zur Fokussierung des ersten Teilchenstrahls auf die Probe (16) aufweist, wobei bei einem Auftreffen des ersten Teilchenstrahls auf die Probe (16) aufgrund von Wechselwirkungen des ersten Teilchenstrahls mit der Probe (16) erste Wechselwirkungsteilchen entstehen,–einer zweiten Teilchenstrahlsäule (3) mit einer zweiten optischen Achse (5), wobei die zweite Teilchenstrahlsäule (3) einen zweiten Strahlerzeuger (6) zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls und eine zweite Objektivlinse (18) zur Fokussierung des zweiten Teilchenstrahls auf die Probe (16) aufweist, wobei bei einem Auftreffen des zweiten Teilchenstrahls auf die Probe (16) aufgrund von Wechselwirkungen des zweiten Teilchenstrahls mit der Probe (16) zweite Wechselwirkungsteilchen entstehen, und mit–mindestens einem Detektor (34), der in einem ersten Hohlraum (35, 38) eines ersten Hohlkörpers (36, 37) angeordnet ist, wobei der erste Hohlraum (35, 38) eine erste Eintrittsöffnung (39, 40) aufweist, wobei von der ersten Eintrittsöffnung (39, 40) zu dem Detektor (34) eine dritte Achse (33) verläuft, wobei–die erste optische Achse (4) der ersten Teilchenstrahlsäule (2) und die zweite optische Achse (5) der zweiten Teilchenstrahlsäule (3) in einer Ebene angeordnet sind,–die dritte Achse (33) geneigt oder senkrecht zu der Ebene angeordnet ist,–die Probe (16) auf einem Probenpotential liegt,–der erste Hohlkörper (36, 37) auf einem ersten Hohlkörperpotential liegt, wobei eine erste Hohlkörperspannung eine erste Potentialdifferenz zwischen dem ersten Hohlkörperpotential und dem Probenpotential ist,–an der ersten Teilchenstrahlsäule (2) mindestens eine Steuerelektrode (41) angeordnet ist, die auf einem Steuerelektrodenpotential liegt,–eine Steuerelektrodenspannung eine dritte Potentialdifferenz zwischen dem Steuerelektrodenpotential und dem Probenpotential ist, wobei die Steuerelektrodenspannung mittels einer dritten Spannungsversorgungseinheit (46) einstellbar ist,–die zweite Teilchenstrahlsäule (3) eine Abschlusselektrode (25) aufweist, welche auf einem Abschlusselektrodenpotential liegt ...</p>
申请公布号 DE102010001346(B4) 申请公布日期 2014.05.08
申请号 DE20101001346 申请日期 2010.01.28
申请人 CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH 发明人 PREIKSZAS, DIRK, DR.
分类号 H01J49/42;H01J49/04;H01J49/22 主分类号 H01J49/42
代理机构 代理人
主权项
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