| 发明名称 | 准纳米线晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种准纳米线晶体管及其制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；在SOI层上形成鳍片基体，所述鳍片基体包括至少一组硅/硅锗叠层；在鳍片基体的两侧形成源漏区（110）；由鳍片基体以及其下的SOI层形成准纳米线鳍片；横跨所述准纳米线鳍片形成栅堆叠。该方法可以有效地控制栅长特性。本发明还提供了根据上述方法形成的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103779226A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210407807.8 | 申请日期 | 2012.10.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种准纳米线晶体管的制造方法，包括：a）提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；b）在SOI层上形成鳍片基体，所述鳍片基体包括至少一组硅/硅锗叠层；c）在鳍片基体的两侧形成源漏区（110）；d）由鳍片基体以及其下的SOI层形成准纳米线鳍片；e）横跨所述准纳米线鳍片形成栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||