发明名称 |
基于双色相干调控等离子体的高重复频率高强度太赫兹源 |
摘要 |
本发明是基于双色相干调控等离子体的高重复频率高强度太赫兹源。这个装置结合目前双色相干调控等离子体产生太赫兹技术的高转化效率优势,关键是将高压等离子体产生技术与双色相关调控等离子体产生太赫兹技术相结合,其特点是大大降低了产生太赫兹的激光的脉冲能量阈值,提高了太赫兹源的重复频率,从而可以获得一个高重复频率,高强度,宽频域带宽的太赫兹发射。在一些同时需要高重复频率和高脉冲强度的场合,例入材料的太赫兹泵浦实验,太赫兹非线性光学实验等会有广泛的应用空间,同时可以提高现有太赫兹检测仪器的扫描时间,探测距离,信噪比等。因为对光源的单脉冲能量要求降低,该系统可以与光纤脉冲激光兼容,从而进一步减小光源的体积,使得光源更加紧凑便携。 |
申请公布号 |
CN103701028A |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201310235533.3 |
申请日期 |
2013.06.15 |
申请人 |
孙栋 |
发明人 |
孙栋 |
分类号 |
H01S3/109(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I;G02F2/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/109(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于双色相干调控等离子体的高重复频率高强度太赫兹源,其特征是由高重复频率(>10kHz)飞秒激光源,倍频晶体,等离子体源和同步装置组成。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学物理学院东楼502房间 |