发明名称 |
织构化的半导体衬底 |
摘要 |
采用包括选自非挥发的具有重均分子量为170或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物中的一种或更多的化合物的水溶液织构化半导体。该织构化的半导体可在光伏器件的制造中使用。提供了一种方法,所述方法包括:a)提供半导体衬底;以及b)施加水溶液至该半导体衬底以织构化该半导体衬底,该水溶液包括选自重均分子量为170克/摩尔或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物和一种或更多的碱性化合物。 |
申请公布号 |
CN102162139B |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201010621452.3 |
申请日期 |
2010.09.27 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料有限公司 |
发明人 |
R·K·巴尔;C·欧康纳 |
分类号 |
C30B33/10(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈哲锋 |
主权项 |
一种方法,所述方法包括:a)提供半导体衬底,所述半导体衬底包括单晶、多晶或无定形硅;以及b)施加水溶液至该半导体衬底以织构化该半导体衬底,该水溶液包括选自重均分子量为170‑4000克/摩尔且闪点为75‑300℃的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯的一种或更多的化合物和一种或更多的碱性化合物。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |