| 发明名称 | 包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元。所述MTJ单元包括多个垂直侧壁。所述多个垂直侧壁中的每一者界定一独特垂直磁畴。所述独特垂直磁畴中的每一者适于存储一数字值。在一实施例中，所述MTJ单元包含位于电极层(110、112、114、116)与中心电极(108)之间的固定磁性层(102)、隧道结层(104)及自由磁性层(106)。 | ||
| 申请公布号 | CN103594424A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310594047.0 | 申请日期 | 2009.03.09 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 李霞;升·H·康;朱晓春 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种磁性隧道结MTJ单元，其包含：侧壁，其界定适于存储第一数字值的第一磁畴；以及底壁，其耦合到所述侧壁并且界定适于存储第二数字值的第二磁畴。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||