发明名称 具有分布式人字形图案和相对于外部的内外TCP线圈的相关定位的内部法拉第屏蔽件
摘要 本发明限定了具有带限定凹槽构造的内部法拉第屏蔽件的等离子体处理腔室。在一示例中,腔室包括用于接纳衬底和布置在静电卡盘上方的介电窗的静电卡盘。还包括布置在腔室内部且限定在静电卡盘和介电窗之间的法拉第屏蔽件。所述法拉第屏蔽件包括具有内区、邻近内区的中区、邻近中区的外区。进一步限定法拉第屏蔽件的为延伸贯通所有三个区的第一组径向槽(A)、仅延伸贯通仅仅外区的第二组径向槽(C)以及延伸贯通中区和外区的第三组径向槽(B)。第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕法拉第屏蔽件沿径向布置。
申请公布号 CN103562437A 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201280020707.8 申请日期 2012.04.24
申请人 朗姆研究公司 发明人 约翰·德鲁厄里;龙茂林;亚历克斯·帕特森
分类号 C23F1/00(2006.01)I 主分类号 C23F1/00(2006.01)I
代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠
主权项 一种等离子体处理腔室,其包括:静电卡盘,其用于接纳衬底;介电窗,其与所述腔室的顶部连接,所述介电窗布置在所述静电卡盘的上方;法拉第屏蔽件,其布置在所述腔室的内部并且限定在所述静电卡盘和所述介电窗之间,所述法拉第屏蔽件包括,(a)具有内径范围的内区;(b)具有中径范围的中区;(c)具有外径范围的外区,所述内区与所述中区相邻,并且所述中区与所述外区相邻;(d)第一组径向槽(A),其延伸贯通所述内区、所述中区和所述外区;(e)第二组径向槽(C),其仅延伸贯通所述外区;以及(f)第三组径向槽(B),其延伸贯通所述中区和外区;其中所述第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕所述法拉第屏蔽件沿径向布置。
地址 美国加利福尼亚州