| 发明名称 | 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底上方设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区中设有P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区，其特征在于，在N型掺杂硅外延层内还设有绝缘物质填充区，在P型掺杂半导体区及N型掺杂硅外延层的表面设有氧化层，在氧化层上方设有多晶硅，在多晶硅及绝缘物质填充区的上方设有介质层，在介质层上设有栅极焊盘金属且栅极焊盘金属位于绝缘物质填充区的正上方，所述多晶硅通过穿过介质层的金属与栅极焊盘金属相连，在所述P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区上连接有源极金属。 | ||
| 申请公布号 | CN103489917A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310498518.8 | 申请日期 | 2013.10.22 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 孙伟锋;杨卓;倪海涛;祝靖;徐申;钟锐;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人 | 王斌 |
| 主权项 | 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)，在N型掺杂硅衬底(1)上方设有N型掺杂硅外延层(2)，在N型掺杂硅外延层(2)内设有P型掺杂半导体区(3)，在P型掺杂半导体区(3)中设有P型重掺杂半导体接触区(4)和N型重掺杂半导体区(5)，其特征在于，在N型掺杂硅外延层(2)内还设有绝缘物质填充区(10)，在P型掺杂半导体区(3)及N型掺杂硅外延层(2)的表面设有氧化层(6)，在氧化层(6)上方设有多晶硅(7)，在多晶硅(7)及绝缘物质填充区(10)的上方设有介质层(8)，在介质层(8)上设有栅极焊盘金属(13)且栅极焊盘金属(13)位于绝缘物质填充区(10)的正上方，所述多晶硅(7)通过穿过介质层(8)的金属(11)与栅极焊盘金属(13)相连，在所述P型重掺杂半导体接触区(4)和N型重掺杂半导体区(5)上连接有源极金属(9)。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 | ||