一种利用双层绝缘层释放费米能级钉扎的方法

摘要

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法。本发明在金属和半导体之间插入一超薄的双层绝缘层，利用绝缘层和半导体之间形成的电偶极子以及两层绝缘层之间形成的电偶极子来拉低由于金属和半导体接触时费米能级钉扎所形成的高的肖特基势垒高度，方法简单有效，而且能够有效地释放费米能级钉扎，减小肖特基势垒高度，减小金属与半导体的接触电阻，实现欧姆接触。

主权项

一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法，其特征在于，具体步骤为：在半导体层之上生长一超薄的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上生长一超薄的不同于第一绝缘层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上沉积顶电极。