| 发明名称 | CMOS器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的CMOS器件的制作方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体衬底以及形成于其上的NMOS晶体管与PMOS晶体管；在所述NMOS晶体管以及PMOS晶体管的表面形成应力层；刻蚀所述应力层，露出PMOS晶体管的多晶硅栅极；采用离子注入工艺将所述PMOS晶体管的栅极非晶化；去除所述应力层位于所述PMOS晶体管表面的部分；进行退火；去除剩余的应力层。本发明将PMOS晶体管的多晶硅栅极非晶化再重新结晶，从而向栅极底部的沟道区域提供压缩应力，具有应力效果较强，工艺简单的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102637642B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201110036743.0 | 申请日期 | 2011.02.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇;洪中山 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体衬底以及形成于其上的NMOS晶体管与PMOS晶体管；在所述NMOS晶体管以及PMOS晶体管的表面形成应力层；刻蚀所述应力层，露出PMOS晶体管的多晶硅栅极；采用离子注入工艺将所述PMOS晶体管的栅极非晶化；去除所述应力层位于所述PMOS晶体管表面的部分；进行退火；去除剩余应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||