Gate-Dielektrikum aus Nitrid für Graphen-Mosfet

摘要

Eine Halbleiterstruktur, die ein Substrat; eine Graphenschicht auf dem Substrat; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf der Graphenschicht beinhaltet, wobei sich die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode in einem festgelegten Abstand voneinander entfernt befinden; sowie eine Nitridschicht auf der Graphenschicht zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode; und eine Gate-Elektrode auf der Nitridschicht, wobei die Nitridschicht ein Gate-Dielektrikum für die Gate-Elektrode ist.