发明名称 铁氧体薄膜的形成方法及通过该方法得到的铁氧体薄膜
摘要 本发明提供一种能够使用溶胶-凝胶法不会产生龟裂地制作膜厚为1μm以上的厚膜的铁氧体薄膜的形成方法。本发明通过如下形成铁氧体薄膜的方法,即进行一次或多次将铁氧体薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板上来形成涂布膜的工序及临时烧结上述涂布膜的工序,以使临时烧结后的上述基板上的膜厚成为所希望的厚度,并对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成,所述形成方法的特征在于,对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成的条件如下,即在大气、氧气或惰性气体气氛下,升温速度为1~50℃/分钟,保持温度为500~800℃,保持时间为30~120分钟。
申请公布号 CN103360043A 申请公布日期 2013.10.23
申请号 CN201310088038.4 申请日期 2013.03.19
申请人 三菱综合材料株式会社 发明人 土井利浩;樱井英章;中村贤藏;五十岚和则;曽山信幸
分类号 C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/26(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 一种铁氧体薄膜的形成方法,其通过如下形成铁氧体薄膜,即进行一次或多次将铁氧体薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板上来形成涂布膜的工序及临时烧结所述涂布膜的工序,以使临时烧结后的所述基板上的膜厚成为所希望的厚度,并对形成于所述基板上的临时烧结膜进行烧成,所述形成方法的特征在于,对形成于所述基板上的临时烧结膜进行烧成的条件如下,即在大气、氧气或惰性气体气氛下,升温速度为1~50℃/分钟,保持温度为500~800℃,保持时间为30~120分钟。
地址 日本东京
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