Verfahren zum Herstellen eines Silicon-On-Insulator (SOI) Wafers mit einer Ätzstoppschicht

摘要

Verfahren umfassend: Bilden einer Ätzstoppschicht (130; 330) in einem SOI-Wafer (100; 300), wobei die Ätzstoppschicht (130; 330) einer Isolationsschicht (120; 320) des SOI-Wafers (100; 300) aufliegt, wobei die Ätzstoppschicht (130; 330) wenigstens zwei Materialien aufweist, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Siliziumnitrid, Stickstoff-dotiertem Siliziumdioxid und Siliziumoxinitrid, wobei das Bilden der Ätzstoppschicht (130; 330) umfasst: Implantieren (210) von Stickstoff in den SOI-Wafer (100; 300), wobei eine maximale Konzentration von implantiertem Stickstoff an einer Schnittstelle zwischen einer oberen Siliziumschicht (140; 340) des SOI-Wafers (100; 300) und der Isolationsschicht (120; 320) ist; und Tempern (220) des SOI-Wafers (100; 300) zum Bilden der Ätzstoppschicht (130; 330), wobei das Verfahren weiter ein Bilden integrierter Schaltkreise für eine Anzahl von Chips (102) in der oberen Siliziumschicht (140; 340) umfasst, wobei die Ätzstoppschicht (130; 330) als Ätzstoppschicht beim Bilden der integrierten Schaltkreise fungiert.