一种培育附生兰的方法

摘要

本发明公开了一种培育附生兰的方法。本发明的培育附生兰的方法包括如下步骤：包括如下步骤：用假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148侵染附生兰的组培苗根部，得到菌根化组培苗，再移栽所述菌根化组培苗进行驯化培养，得到附生兰植株。实验证明，与不接菌的对照相比，本发明方法显著提高了附生兰组培苗的移栽成活率，植株的鲜重显著提高，且植株的适应性广、抗逆性增强，且本发明方法促进幼苗生长，缩短蹲苗期，繁殖周期短。因此，本发明方法在附生兰的人工培育领域将有广阔的应用前景，为附生兰野生资源的保存奠定了基础。

主权项

一种培育附生兰植株的方法，其特征在于：包括如下步骤：用假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148侵染附生兰的组培苗根部，得到菌根化组培苗，再移栽所述菌根化组培苗进行驯化培养，得到附生兰植株；所述用假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148侵染附生兰的组培苗根部的方法包括如下步骤：将附生兰的组培苗接入含有假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148的共生培养基中，再共培养；所述含有假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148的共生培养基按照包括如下步骤的方法得到：将所述假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148接种于共生培养基，进行菌的活化培养，得到所述含有假尾孢(Pseudocercospora sp.)S3 CGMCC No.4148的共生培养基； 1升所述共生培养基由950mg KNO3、825mg NH4NO3、85mg KH2PO4、185mg MgSO4.7H2O、220mg CaCl2.2H2O、0.415mg KI、3.1mg H3BO3、11.15mg MnSO4.4H2O、4.3mg ZnSO4.7H2O、0.125mg Na2MoO4.2H2O、0.0125mg CuSO4.5H2O、0.0125mg CoCl2.6H2O、18.65mgNa2.EDTA、18.9mg FeSO4.7H2O、50mg肌醇、1mg甘氨酸、0.05mg VB1、0.25mg VB6、0.25mg烟酸、30g蔗糖、0.5g活性炭、30g香蕉、30g土豆、7g‑8g琼脂和水组成；水补足体积；所述共生培养基的pH值为5.5‑5.8； 所述驯化培养的温度为25℃‑28℃；所述驯化培养的湿度为70％‑90％；所述驯化培养的遮阳率为60％‑70％；所述共培养的温度为23℃‑26℃；所述共培养的光照强度为2000Lx～3000Lx；所述共培养的光周期为14h光照/10h黑暗；所述共培养的时间为30天‑45天；所述菌的活化培养的温度为23‑26℃；所述菌的活化培养在黑暗的条件下进行；所述菌的活化培养的时间为6天‑8天； 所述附生兰为兰科石斛属(Dendrobium)植物；所述兰科石斛属植物为华石斛 (Dendrobium sinense)。 2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述共培养的温度为23℃、25℃或26℃；所述共培养的光照强度为2000Lx、2500Lx或3000Lx；所述共培养的时间为30天、35天或45天。 3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述共生培养基的pH值为5.5、5.6或5.8。 4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述菌的活化培养的温度为23℃、25℃或26℃；所述菌的活化培养的时间为6天、7天或8天。 5. 根据权利要求1‑4中任一所述的方法，其特征在于：所述驯化培养的培养基质为灭菌的苔藓。 6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述驯化培养的温度为25℃、26℃或28℃；所述驯化培养的湿度为70％、80％或90％；所述驯化培养的遮阳率为60％、65％或70％。