发明名称 多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法
摘要 本发明提供一种得到多晶硅棒的技术,其中,虽然为高速析出反应,但会抑制多晶硅表面的爆米花产生,不会发生由粉末的产生而引起的重金属污染、突起状异常析出。原料的气体供给喷嘴(9)配置于在圆盘状底板(5)的具有中心的假想同心圆(面积S0的底板(5)的一半面积S)的内侧。将原料气体从气体供给喷嘴(9)以150m/秒以上的流速喷出到钟罩(1)内。在图3所示的例子中,设置有4个气体供给喷嘴(9),但在任意一种情况下,气体供给喷嘴(9)均配置在同心圆C的内侧。在图3所示的例子中,除了设置在底板(5)的部的气体供给喷嘴(9)之外,在与以该部的气体供给喷嘴(9)作为中心的外切圆E相切的正三边形的顶点的位置处还配置有3个气体供给喷嘴(9)。利用这样的气体供给喷嘴配置,在反应炉内形成顺畅的循环流动。
申请公布号 CN103328380A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201180065676.3 申请日期 2011.09.20
申请人 信越化学工业株式会社 发明人 黑泽靖志;祢津茂义
分类号 C01B33/035(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 金龙河;穆德骏
主权项 一种多晶硅制造装置,其为用于通过西门子法制造多晶硅的多晶硅制造装置,其特征在于,具备:利用钟罩和圆盘状的底板使内部密闭的反应炉、和以期望的流量向所述钟罩内部供给原料气体的气体流量控制部,在所述底板上设置有用于对多个硅芯线进行通电的电极对和至少一个用于向所述钟罩的内部空间供给原料气体的气体供给喷嘴,所述气体供给喷嘴配置于在所述底板的中央具有中心的假想同心圆且具有所述圆盘状的底板的面积S0的一半面积S(=S0/2)的假想同心圆的内侧,并且所述气体供给喷嘴中的一个配置在所述底板的中央,所述气体流量控制部能够以150m/秒以上的流速控制从所述气体供给喷嘴喷出的原料气体。
地址 日本东京都