| 发明名称 | 接触孔的填充方法 | ||
| 摘要 | 一种接触孔的填充方法，包括：提供带有接触孔的半导体衬底；第一填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质部分填充所述接触孔，所述第一填充阶段中的溅射温度大于400℃；第二填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质填充满所述接触孔，所述第二填充阶段中的溅射温度大于400℃。本发明能在高温下对接触孔进行填充，提高导电介质的流动性，实现完全填满整个接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN102087994B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN200910252940.9 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 章舒 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种接触孔的填充方法，其特征在于，包括：提供带有接触孔的半导体衬底；第一填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质部分填充所述接触孔，使得在所述接触孔的底部和侧壁溅射有导电介质，所述第一填充阶段中溅射工艺的参数包括：溅射温度为500℃，溅射功率为4千瓦至7千瓦，溅射量为500埃至1500埃，溅射形成细密的成核结晶，提高导电介质的填充效果；第二填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质填充满所述接触孔，所述第二填充阶段中的溅射温度大于400℃。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||