在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种用于在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法。该方法包括下列方法步骤：A)施加掺杂层(2)到该半导体衬底的发射侧上；B)局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，借助液-液扩散使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到熔融的该半导体衬底中，从而在该熔融混合物凝固后产生高掺杂区(3)；C)整体上加热该半导体衬底以产生面状低掺杂区；D)去除该掺杂层(2)；E)去除或转化该半导体衬底的在该掺杂侧的一层，使得该低掺杂区的和该高掺杂区的近表面部分被去除，或被转化为不导电层。

主权项

一种用于在半导体衬底(1)中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法，其中，该选择性掺杂结构至少形成在该半导体衬底的掺杂侧，在该掺杂侧在该半导体衬底(1)中产生至少一个第一掺杂分布的面状低掺杂区(4)，并且在该第一低掺杂区内产生至少一个第二掺杂分布的局部高掺杂区(3)，其中，该低掺杂区(4)和该高掺杂区(3)以彼此相同的掺杂类型来形成并且该高掺杂区具有比该低掺杂区(4)低的横向导电电阻，其特征是，该方法包括下列方法步骤：A.施加包含掺杂物的掺杂层(2)到该半导体衬底的该掺杂侧上；B.如此局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，即，在局部区域内暂时形成由至少该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的熔融区构成的熔融混合物，其中，借助液‑液扩散使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到熔融的该半导体衬底(1)中，从而在该熔融混合物凝固后产生该高掺杂区；C.如此产生该面状低掺杂区(4)，即，该半导体衬底(1)被整体上加热，使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到该半导体衬底中；D.去除该掺杂层(2)；E.如此去除和/或转化该半导体衬底的在该掺杂侧的一层，即，在方法步骤E1中去除该低掺杂区(4)的和该高掺杂区(3)的近表面部分，和/或在方法步骤E2中将该半导体衬底的在该掺杂侧的一层转化为不导电层，其中，这些方法步骤按照顺序A、B、C、D、E或者A、C、B、D、E来执行，需要时相应地在中间介入其它的中间步骤，并且这些方法步骤A至E是在没有中间介入掩蔽步骤的情况下执行的。