存储元件和存储设备

摘要

本发明提供了存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构以及负热膨胀材料层。分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有磁化方向随着信息而改变的、与膜面垂直的磁化性，并包括具有正磁致伸缩常数的磁性层。通过沿着分层结构的层叠方向施加电流来改变磁化方向，以在存储层中记录信息。磁化固定层具有与膜面垂直的磁化性，并成为存储层中存储的信息的基础。中间层由非磁性材料形成，并设置在存储层与磁化固定层之间。

主权项

一种存储元件，包括：分层结构，包括：存储层，其具有磁化方向随着信息而改变的、与膜面垂直的磁化性，并包括具有正磁致伸缩常数的磁性层，通过沿着所述分层结构的层叠方向施加电流来改变所述磁化方向，以在所述存储层中记录信息；磁化固定层，其具有与膜面垂直的磁化性，并成为所述存储层中存储的信息的基础；以及中间层，其由非磁性材料形成，并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间；以及负热膨胀材料层。