| 发明名称 | 光传感器、感光二极管、二极管层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光传感器、感光二极管、二极管层及其制造方法。一种PIN二极管层包含N型半导体、本征半导体及P型半导体。所述N型半导体掺杂有预定含量的3价杂质。所述P型半导体配置于所述N型半导体上方。所述本征半导体配置于所述P型半导体与所述N型半导体之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101752445B | 申请公布日期 | 2013.05.29 |
| 申请号 | CN200810178333.8 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 发明人 | 蔡志鸿;萧建智;施博盛 |
| 分类号 | H01L31/103(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/103(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 一种用于感光二极管的二极管层，包含：N型半导体，其掺杂有预定含量的3价杂质；以及P型半导体，配置于所述N型半导体相邻的位置，其中所述N型半导体为非晶硅。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市 | ||