发明名称 Method for etching substrate
摘要 One or more embodiments relate to a method of making a semiconductor structure, comprising: forming a patterned metallic layer over a semiconductor substrate; forming a second layer over the patterned metallic layer; and etching the substrate.
申请公布号 US2013109171(A1) 申请公布日期 2013.05.02
申请号 US201113282491 申请日期 2011.10.27
申请人 ENGELHARDT MANFRED 发明人 ENGELHARDT MANFRED
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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