发明名称 负型光阻材料及使用其形成图型之方法
摘要 本发明系提供一种具有优于以往之羟基苯乙烯系、酚醛系之负型光阻材料的高解像度,曝光后之图型形状良好,显示更优异的耐蚀刻性的负型光阻材料,特别是化学增幅负型光阻材料及使用该材料的图型形成方法。;本发明之负型光阻材料,其特征系至少含有:具有下述一般式(1)表示之羟基乙烯基萘之重复单位的高分子化合物。;【化47】;(1)
申请公布号 TWI395063 申请公布日期 2013.05.01
申请号 TW096126828 申请日期 2007.07.23
申请人 信越化学工业股份有限公司 日本 发明人 畠山润;武田隆信
分类号 G03F7/038;H01L21/027;C08F212/32 主分类号 G03F7/038
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本