| 发明名称 | 激光退火装置及激光退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明能利用激光退火将半导体膜均匀地结晶化。包括输出脉冲激光的脉冲激光振荡装置、和将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜的光传输单元，将所述脉冲激光照射于半导体膜，使得在半导体膜照射面，由有效功率密度（J/(秒·cm3)）＝脉冲能量密度（J/cm2）/脉冲宽度（秒）×半导体膜的吸收系数（cm－1）这一公式计算出的有效功率密度在3×1012至1.5×1012的范围内，因此，能使半导体膜结晶化而不引起由完全熔融所产生的异常晶粒生长，可得到偏差较小的均匀结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN103081065A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201180041647.3 | 申请日期 | 2011.08.02 |
| 申请人 | 株式会社日本制钢所 | 发明人 | 佐藤亮介;草间秀晃;富樫陵太郎;井崎博大 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种激光退火装置，其特征在于，包括：脉冲激光振荡装置，该脉冲激光振荡装置输出脉冲激光；及光传输单元，该光传输单元将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜，将所述脉冲激光照射于所述半导体膜，使得在半导体膜照射面，由下述公式计算出的有效功率密度在3×1012至1.5×1012的范围内，有效功率密度（J/(秒·cm3)）＝脉冲能量密度（J/cm2）/脉冲宽度（秒）×半导体膜的吸收系数（cm－1）…（公式）。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||