低功耗半导体存储器及其驱动方法

摘要

一种低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法。所述低功耗半导体存储器包括存储晶体管与控制晶体管，其中，所述控制晶体管包含有输入端与输出端，所述控制晶体管的输出端与存储晶体管的体区相连接；在所述控制晶体管开启时，其输入端加载的输入电压输出至存储晶体管的体区，使得所述存储晶体管的体区电位变化，而所述存储晶体管体区电位用于标记存储数据。本发明的低功耗半导体存储器采用垂直隧穿场效应管控制存储器的数据读写操作，既降低了存储器的最小开启电压，又提高了器件的开关速度；同时，通过改变存储晶体管的体区电位来标记数据存储情况，体区较小的寄生电容降低了数据写入操作时对充电电流的要求，从而有效降低了器件功耗。

主权项

一种低功耗半导体存储器，其特征在于，包括存储晶体管与控制晶体管，其中，所述控制晶体管包含有输入端与输出端，所述控制晶体管的输出端与存储晶体管的体区相连接；在所述控制晶体管开启时，其输入端加载的输入电压输出至存储晶体管的体区，使得所述存储晶体管的体区电位变化，而所述存储晶体管体区电位用于标记存储数据；其中，所述控制晶体管为垂直隧穿场效应管，所述垂直隧穿场效应管包含有第一控制电极、第二控制电极、第一导电区以及第二导电区，其中，所述第一导电区与第二导电区具有相反的导电类型，所述第一控制电极与第二控制电极用于加载控制所述垂直隧穿场效应管开启状态的控制电压，所述第一导电区作为垂直隧穿场效应管的输入端，用于加载输入电压，所述第二导电区作为垂直隧穿场效应管的输出端，与存储晶体管的体区电连接。