发明名称 |
制作垂直结构发光二极管的方法 |
摘要 |
本发明提供一种制作垂直结构LED的方法,其中用于外延层生长的衬底是通过抛光而去除的。在典型实施例里使用的抛光技术是化学机械抛光,使用抛光停止点来提供充分水平的平面。在抛光表面之前,抛光停止点被置于多层结构中,抛光停止点材料的硬度大于需要去除的材料的硬度。所以,和激光剥离或传统抛光相比,可以较低成本和较高生产良率来生产垂直结构LED。典型的垂直结构LED是GaN LED。抛光停止点可以通过机械切割、激光切割或等离子蚀刻来去除。 |
申请公布号 |
CN102265414B |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201180000942.4 |
申请日期 |
2011.06.21 |
申请人 |
香港应用科技研究院有限公司 |
发明人 |
林立旻;陈家华;郑盛梅;蔡勇 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种制作GaN垂直结构发光二极管的方法,包括:提供第一衬底,其上能支持GaN外延生长;在第一衬底上形成一未掺杂GaN层;在该未掺杂GaN层上形成一n‑掺杂GaN层;在该n‑掺杂GaN层上形成一个多量子阱活性层;在该多量子阱活性层上形成一p‑掺杂GaN层;在该p‑掺杂GaN层上形成一p‑电极层,该p‑电极配置充当反射镜作用;使用一种硬度大于GaN硬度的材料,形成多个垂直的抛光停止点,每个抛光停止点穿过所述p‑掺杂GaN层、所述活性层,并终止在所述n‑掺杂GaN层;在所述p‑电极层上形成一导电的主衬底层;抛光除去第一衬底和所述未掺杂GaN层,露出n‑掺杂GaN层;和在所述n‑掺杂GaN层上形成一n‑电极。 |
地址 |
中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心3楼 |