| 发明名称 | 薄膜晶体管及显示器件 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层被设置为其至少一部分隔着栅极绝缘层重叠于栅电极，并且形成源区及漏区；一对导电层，该一对导电层被配置为其至少一部分在栅极绝缘层上重叠于栅电极及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，并且在沟道长度方向上相离；以及接触栅极绝缘层和一对导电层并且延伸在该一对导电层之间的非晶半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101521231B | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN200910008341.2 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大力浩二;宫入秀和;黑川义元;山崎舜平;乡户宏充;河江大辅;小林聪 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的一对导电层，该一对导电层至少部分地重叠于所述栅电极，并配置为在沟道长度方向上相离；所述一对导电层及所述栅电极上的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层添加有赋予一导电型的杂质元素，以形成源区及漏区；以及所述一对导电层上的非晶半导体层，该非晶半导体层接触所述一对导电层之间的所述栅极绝缘层的至少一部分，并配置在所述一对杂质半导体层和所述一对导电层之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||