双镶嵌方法

摘要

一种双镶嵌方法，包括：在介质层中形成具有通孔和沟槽的双镶嵌结构；确定包含沉积标准功率在内的沉积工艺参数，所述沉积工艺参数用以在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成具有确定厚度的粘接层，形成于所述侧壁和所述沟槽的底壁的粘接层用以防止在其上覆盖的金属层扩散至所述介质层中；调整所述沉积工艺参数，确定小于所述沉积标准功率的沉积反应功率；利用调整后的沉积工艺参数在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成粘接层，使形成于所述通孔的底壁的粘接层的厚度小于形成于所述沟槽的底壁的粘接层的厚度；去除形成于所述通孔的底壁的粘接层；形成填充所述双镶嵌结构的金属层。可减小接触电阻。

主权项

一种双镶嵌方法，其特征在于，包括：在介质层中形成具有通孔和沟槽的双镶嵌结构；确定包含等离子体解离功率在内的沉积工艺参数，所述沉积工艺参数用以在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成具有确定厚度的粘接层，形成于所述侧壁和所述沟槽的底壁的粘接层用以防止在其上覆盖的金属层扩散至所述介质层中；调整所述沉积工艺参数，确定小于所述等离子体解离功率的沉积反应功率；利用调整后的沉积工艺参数在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成粘接层，使形成于所述通孔的底壁的粘接层的厚度小于形成于所述沟槽的底壁的粘接层的厚度；去除形成于所述通孔的底壁的粘接层；形成填充所述双镶嵌结构的金属层。