| 发明名称 | 陶瓷通孔基板、金属化陶瓷通孔基板、它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种能够采用简便方法制造的陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而得到的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。 | ||
| 申请公布号 | CN102986024A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201180034230.4 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 株式会社德山 | 发明人 | 高桥直人;山本泰幸 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I;H05K3/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而成的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||