半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括多条埋入式位元线、多条位元线接触窗、多条介电层以及多条埋入式字元线。埋入式位元线设置于基底中，平行排列且沿着第一方向延伸。位元线接触窗分别设置于位元线的一侧的基底中，埋入式位元线分别经由位元线接触窗电性连接基底。介电层分别设置于埋入式位元线上。埋入式字元线设置于基底中且位于介电层上，埋入式字元线平行排列且沿着不同于第一方向的第二方向延伸，其中各埋入式字元线的下部具有多个突出部，各突出部分别位于相邻两介电层之间。本发明能够提升导通电流，并进一步改善元件效能。

主权项

一种半导体元件，包括：多条埋入式位元线，设置于一基底中，所述多条埋入式位元线平行排列且沿着一第一方向延伸；多条位元线接触窗，分别设置于所述多条埋入式位元线的一侧的该基底中，所述多条埋入式位元线分别经由所述多条位元线接触窗电性连接该基底；多条介电层，分别设置于所述多条埋入式位元线上；以及多条埋入式字元线，设置于该基底中且位于该介电层上，所述多条埋入式字元线平行排列且沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸，其中各所述多条埋入式字元线的下部具有多个突出部，各所述多个突出部分别位于相邻两介电层之间。