发明名称 |
Leistungshalbleiterchip mit zwei Metallschichten auf einer Fläche |
摘要 |
Ein Halbleiterchip beinhaltet eine Leistungstransistorschaltung mit mehreren aktiven Transistorzellen. Eine erste Lastelektrode und eine Steuerelektrode sind auf einer ersten Fläche des Halbleiterchips angeordnet, wobei die erste Lastelektrode eine erste Metallschicht beinhaltet. Eine zweite Lastelektrode ist auf einer zweiten Fläche des Halbleiterchips angeordnet. Eine zweite Metallschicht ist über der ersten Metallschicht angeordnet, wobei die zweite Metallschicht elektrisch gegenüber der Leistungstransistorschaltung isoliert ist und die zweite Metallschicht über einen Bereich der Leistungstransistorschaltung angeordnet ist, der mindestens eine der mehreren aktiven Transistorzellen umfasst. |
申请公布号 |
DE102012106566(A1) |
申请公布日期 |
2013.01.31 |
申请号 |
DE201210106566 |
申请日期 |
2012.07.19 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
OTREMBA, RALF;HOEGLAUER, JOSEF;SCHREDL, JUERGEN;SCHLOEGEL, XAVER |
分类号 |
H01L23/482;H01L21/58;H01L25/11 |
主分类号 |
H01L23/482 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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