发明名称 Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>-Au-MnO<sub>2</sub>三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法,包括:(1)制备前驱体Co3O4纳米片阵列;(2)利用等离子体溅射法在上述Co3O4纳米片阵列的表面蒸镀,得到Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列;(3)将上述Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列于0.9V电位下电化学沉积,将MnO2包覆在Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列的表面;反应完成后,清洗、干燥、煅烧,即得。本发明的制备方法操作简单,不需要特殊设备;本发明所制得的Co3O4-Au-MnO2纳米片阵列分布均匀,为三维分级异质结构,电化学性能优异,应用前景广阔。
申请公布号 CN102903534A 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201210440036.2 申请日期 2012.11.06
申请人 东华大学 发明人 胡俊青;李文尧;邹儒佳;李高;徐开兵;孙彦刚;王滕
分类号 H01G9/042(2006.01)I 主分类号 H01G9/042(2006.01)I
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人 黄志达;谢文凯
主权项 一种Co3O4‑Au‑MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法,包括:(1)将泡沫镍在含有DMSO的Co(NO3)2水溶液中于‑1V电位下电化学沉积制备Co(OH)2纳米片阵列,然后煅烧,得到前驱体Co3O4纳米片阵列;(2)利用等离子体溅射法在上述Co3O4纳米片阵列的表面蒸镀,形成一层Au颗粒组成的薄膜,得到Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列;(3)将上述Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列置于含有DMSO的Mn(CH3COO)2和CH3COONH4的混合水溶液中,然后于0.9V电位下电化学沉积,将MnO2包覆在Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列的表面;反应完成后,将得到的产物清洗后干燥,最后煅烧,即得。
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