| 摘要 |
<p>산화막의 절연특성을 향상시켜서 제품의 수율을 높일 수 있는 반도체소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자의 제조방법은 필드영역과 제 1, 제 2 액티브영역이 정의된 반도체기판의 필드영역에 필드절연막을 형성하는 공정, 상기 제 1, 제 2 액티브영역에 절연막을 형성하는 공정, 상기 절연막상에 블로킹막을 형성하는 공정, 상기 제 2 액티브영역의 블로킹막과 절연막을 식각하는 공정, 상기 제 1 액티브영역의 블로킹막을 제거하는 공정, 상기 제 1 액티브영역에 제 1 게이트절연막을 형성함과 동시에 제 2 액티브영역에 상기 제 1 게이트절연막보다 얇은 두께의 제 2 게이트절연막을 형성하는 공정, 상기 제 1, 제 2 액티브영역의 제 1, 제 2 게이트절연막 상에 각각 게이트전극을 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 한다.</p> |
