| 发明名称 |
掺镱钼酸钆钡钾激光晶体及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明提供掺镱钼酸钆钡钾激光晶体及其制备方法。该晶体属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为a=17.401 (11) Å, b=12.226(8) Å, c=5.324(4) Å, β= 106.19(1)º, V=1087.73(373) Å3, Z=4, D=4.967 g.cm-3。该晶体可采用助熔剂法生长。该晶体呈现出较宽的吸收和发射谱带。其吸收带在976nm处的吸收截面为1.69×10-20cm2，吸收半峰宽为60nm。在约1010nm处的发射截面超过3×10-20cm2。该晶体可成为一种新的超短脉冲激光晶体，并获得实际应用。 |
| 申请公布号 |
CN102877132A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
| 申请号 |
CN201210407781.7 |
申请日期 |
2012.10.22 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
王国富;余意;林州斌;张莉珍;黄溢声 |
| 分类号 |
C30B29/32(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种掺镱钼酸钆钡钾激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Yb<sup>3+</sup>:KBaGd(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>，属于单斜晶系，具有C2/m空间群结构，晶胞参数为a=17.401(11)Å,b=12.226(8)Å,c=5.324(4)Å,β=106.19(1)o,V=1087.73(373)Å<sup>3</sup>,Z=4,D=4.967g.cm<sup>-3</sup>。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
