发明名称 |
一种半导体变压结构和具有其的芯片 |
摘要 |
本发明提供一种半导体变压结构和具有其的芯片,其中半导体变压结构包括:多个串联的半导体电光转换结构,半导体电光转换结构包括电光转换层,电光转换层用于将输入电能转换为光能;和多个串联的半导体光电转换结构,半导体电光转换结构包括光电转换层,光电转换层用于将光能转换为输出电能,其中,半导体光电转换结构的数目与半导体电光转换结构的数目成比例以实现变压,且光电转换层的吸收光谱与电光转换层的发射光谱之间频谱匹配,其中,多个半导体电光转换结构、多个半导体光电转换结构之间通过反偏PN结结构进行隔离。本发明具有材料易于获得、成本低廉、工艺成熟等优点。 |
申请公布号 |
CN102832288A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210326608.4 |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
郭磊 |
发明人 |
郭磊 |
分类号 |
H01L31/12(2006.01)I;H01L31/173(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种半导体变压结构,其特征在于,包括:多个串联的半导体电光转换结构,所述半导体电光转换结构包括电光转换层,所述电光转换层用于将输入电能转换为光能;和多个串联的半导体光电转换结构,所述半导体电光转换结构包括光电转换层,所述光电转换层用于将所述光能转换为输出电能,其中,所述半导体光电转换结构的数目与所述半导体电光转换结构的数目成比例以实现变压,且所述光电转换层的吸收光谱与所述电光转换层的发射光谱之间频谱匹配,其中,所述多个半导体电光转换结构、所述多个半导体光电转换结构之间通过反偏PN结结构进行隔离。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学罗姆楼4-111室 |