一种低压金属栅互补金属氧化物半导体及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体制备工艺，提供一种低压金属栅互补金属氧化物半导体及其制备方法，用以提高低压金属栅互补金属氧化物半导体的产品质量，降低产品报废率。该方法为：在制作低压金属栅互补金属氧化物半导体的过程中，在沉积介质层之前，增加了一层起铺垫作用的热氧化层，由于热氧化层的缓冲，有效减小了介质层与N型硅衬底的硅片表面的应力，降低了该硅片表面的电荷密度，有效提升了N型硅衬底上制作的NMOS及PMOS阈值电压的稳定性，从而提高了硅片的成品质量，进而显著了降低了硅片报废率。

主权项

一种低压金属栅互补金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，包括：采用金属加工工艺制作N型硅衬底，并在所述N型硅衬底上形成P型阱区；采用N型金属氧化物半导体NMOS源漏工艺在N型硅衬底的P型阱区上制作NMOS源区和漏区；以及采用P型金属氧化物半导体PMOS源漏工艺在N型硅衬底的非P型阱区上形成NMOS源区和漏区的N型硅衬底上制作PMOS源区和漏区；在制作了NMOS和PMOS的N型硅衬底的表面制作热氧化层及介质层。